Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/242523
Заглавие документа: Зависимость реактивного импеданса от инжекции и экстракции дырок в кремниевом p-n-p-транзисторе
Авторы: Марочкина, Яна Николаевна
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 18-мая-2020
Издатель: Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники
Аннотация: Цель работы - установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p-n-p-транзистора; показать, что в транзисторных структурах наблюдается "эффект отрицательной ёмкости".
Доп. сведения: Исследование выполнено под руководством доцента кафедры физики полупроводников и наноэлектроники, кандидата физико-математических наук, Николая Ивановича Горбачука.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/242523
Располагается в коллекциях:2020. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ: Секция "Физика полупроводников и наноэлектроники"

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Марочкина Яна_постер.pdf5,58 MBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.