Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/242523
Title: Зависимость реактивного импеданса от инжекции и экстракции дырок в кремниевом p-n-p-транзисторе
Authors: Марочкина, Яна Николаевна
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 18-May-2020
Publisher: Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники
Abstract: Цель работы - установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p-n-p-транзистора; показать, что в транзисторных структурах наблюдается "эффект отрицательной ёмкости".
Description: Исследование выполнено под руководством доцента кафедры физики полупроводников и наноэлектроники, кандидата физико-математических наук, Николая Ивановича Горбачука.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/242523
Appears in Collections:2020. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ: Секция "Физика полупроводников и наноэлектроники"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Марочкина Яна_постер.pdf5,58 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.