Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/242523
Заглавие документа: | Зависимость реактивного импеданса от инжекции и экстракции дырок в кремниевом p-n-p-транзисторе |
Авторы: | Марочкина, Яна Николаевна |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 18-мая-2020 |
Издатель: | Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Аннотация: | Цель работы - установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p-n-p-транзистора; показать, что в транзисторных структурах наблюдается "эффект отрицательной ёмкости". |
Доп. сведения: | Исследование выполнено под руководством доцента кафедры физики полупроводников и наноэлектроники, кандидата физико-математических наук, Николая Ивановича Горбачука. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/242523 |
Располагается в коллекциях: | 2020. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ: Секция "Физика полупроводников и наноэлектроники" |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Марочкина Яна_постер.pdf | 5,58 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.