Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/24188
Заглавие документа: | Выбор параметров и режимов работы МОП- транзисторов при схемотехническом моделировании аналоговых IP-компонентов. Часть 2. Методика начального схемотехнического моделирования |
Авторы: | Дворников, Олег Гришков, Виталий |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2010 |
Издатель: | Современная электроника. |
Библиографическое описание источника: | Современная электроника. – 2010. – № 1. – С. 50–55. |
Аннотация: | В предлагаемой статье сформулирована последовательность этапов схемотехнического моделирования, обеспечивающая оптимальный выбор параметров и режимов работы МОП#транзисторов в аналоговых IP#компонентах. Рассмотрены особенности описания и моделирования МОП#схем в редакторе Capture системы проектирования OrCAD. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/24188 |
Располагается в коллекциях: | Статьи Центра физики частиц и высоких энергий |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
СОВРЕМЕННАЯ-ЭЛЕКТРОНИКА-№-1-2010.pdf | 1,07 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.