Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/24188Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Дворников, Олег | - |
| dc.contributor.author | Гришков, Виталий | - |
| dc.date.accessioned | 2012-11-19T10:09:04Z | - |
| dc.date.available | 2012-11-19T10:09:04Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Современная электроника. – 2010. – № 1. – С. 50–55. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/24188 | - |
| dc.description.abstract | В предлагаемой статье сформулирована последовательность этапов схемотехнического моделирования, обеспечивающая оптимальный выбор параметров и режимов работы МОП#транзисторов в аналоговых IP#компонентах. Рассмотрены особенности описания и моделирования МОП#схем в редакторе Capture системы проектирования OrCAD. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Современная электроника. | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Выбор параметров и режимов работы МОП- транзисторов при схемотехническом моделировании аналоговых IP-компонентов. Часть 2. Методика начального схемотехнического моделирования | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи Центра физики частиц и высоких энергий | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| СОВРЕМЕННАЯ-ЭЛЕКТРОНИКА-№-1-2010.pdf | 1,07 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.