Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/24127| Заглавие документа: | Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из спектров электродного фотопотенциала |
| Другое заглавие: | Band gap determination of semiconductor electrodes from photopotential spectrum |
| Авторы: | Кулак, А. И. Стрельцов, Е. А. Рабчинский, С. М. |
| Дата публикации: | 2011 |
| Издатель: | Минск: БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Свиридовские чтения: Сб. ст. Вып.7. |
| Аннотация: | Разработана методика определения оптической ширины запрещенной зоны для полупроводниковых электродов на основе измерения спектральной зависимости электродного фотопотенциала. Анализ спектров фотопотенциала экстраполяцией линейного участка (Δφph ħω)n – ħω кривой на ось энергий позволяет определить тип оптических переходов (прямые при n = 2 либо непрямые при n = ½) полупроводниковых электродов. На примере электрохимически осажденных пленок CdTe показано, что их ширина запрещенной зоны изменяется от 1,51 до 1,47 эВ (прямые оптические переходы) при увеличении толщины пленки от 5 до 20 мкм. Предполагаемой причиной уменьшения Eg является увеличение концентрации дефектов при увеличении толщины пленки. Библиограф. 19 назв., ил. 3, табл. 1. |
| Доп. сведения: | The method of band gap determination for semiconductor electrodes was developed from analysis of photopotential spectrum measured in contact with an electrolyte. Optical band gaps were found for n-Si monocrystal and electrodeposited CdTe films by extrapolation of linear dependence (Δφph ħω)n – ħω to energy axis (Δφph – photopotential, n = 2 for direct and n = ½ for indirect transitions, ħω – light quantum). The band gap of CdTe films decreases from 1,51 to 1,47 eV (direct optical transitions) with increasing film thickness from 5 to 20 μm. It is due to the increase in the defect concentration of cadmium telluride during film growth. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/24127 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи химического факультета |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Кулак А. И., Стрельцов Е. А., Рабчинский С. М. - Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из спектров электродного фотопотенциала.pdf | 436,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.