Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/24127Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кулак, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Стрельцов, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Рабчинский, С. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-11-18T22:09:52Z | - |
| dc.date.available | 2012-11-18T22:09:52Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Свиридовские чтения: Сб. ст. Вып.7. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/24127 | - |
| dc.description | The method of band gap determination for semiconductor electrodes was developed from analysis of photopotential spectrum measured in contact with an electrolyte. Optical band gaps were found for n-Si monocrystal and electrodeposited CdTe films by extrapolation of linear dependence (Δφph ħω)n – ħω to energy axis (Δφph – photopotential, n = 2 for direct and n = ½ for indirect transitions, ħω – light quantum). The band gap of CdTe films decreases from 1,51 to 1,47 eV (direct optical transitions) with increasing film thickness from 5 to 20 μm. It is due to the increase in the defect concentration of cadmium telluride during film growth. | ru |
| dc.description.abstract | Разработана методика определения оптической ширины запрещенной зоны для полупроводниковых электродов на основе измерения спектральной зависимости электродного фотопотенциала. Анализ спектров фотопотенциала экстраполяцией линейного участка (Δφph ħω)n – ħω кривой на ось энергий позволяет определить тип оптических переходов (прямые при n = 2 либо непрямые при n = ½) полупроводниковых электродов. На примере электрохимически осажденных пленок CdTe показано, что их ширина запрещенной зоны изменяется от 1,51 до 1,47 эВ (прямые оптические переходы) при увеличении толщины пленки от 5 до 20 мкм. Предполагаемой причиной уменьшения Eg является увеличение концентрации дефектов при увеличении толщины пленки. Библиограф. 19 назв., ил. 3, табл. 1. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
| dc.title | Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из спектров электродного фотопотенциала | ru |
| dc.title.alternative | Band gap determination of semiconductor electrodes from photopotential spectrum | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи химического факультета | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Кулак А. И., Стрельцов Е. А., Рабчинский С. М. - Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из спектров электродного фотопотенциала.pdf | 436,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.