Разработка моделей и программного обеспечения для моделирования влияния ионизирующих излучений на электрофизические свойства и электрические характеристики субмикронных КНИ-МОП-транзисторов. По заданию 3.1.02: «Разработка конструктивных элементов в КМОП-КНИ базисе, исследование процессов воздействия ионизирующих излучений: электронов, протонов, нейтронов, рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП- и биполярной элементной базы интегральных схем на объемном кремнии и КНИ-подложках с помощью физико-математических моделей и лазерной имитации». ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования: субмикронный КНИ-МОП-транзистор. Цель НИР: разработка физико-математических моделей, алгоритмов и программ для моделирования методом Монте-Карло электрофизических свойств и электрических характеристик субмикронных полевых КНИ-МОП-транзисторов и исследование влияния ионизирующих излучений на параметры и характеристики таких транзисторов. В результате созданы оригинальные модели процессов переноса носителей заряда в субмикронных полевых КНИ-МОП-транзисторах с длиной канала 0,35 мкм и менее, учитывающих их конструкцию и влияние на их работу некоторых видов ионизирующих излучений; созданы численные модели, алгоритмы и программы для расчета методом Монте-Карло электрофизических параметров и электрических характеристик таких транзисторов; с помощью разработанных программных средств исследовано влияние различных режимов работы и воздействия различных видов ионизирующих излучений на электрофизические свойства и электрические характеристики субмикронных КНИ-МОП-транзисторов. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и производстве интегральных субмикронных КНИ-МОП-транзисторов.