Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236589
Title: | Поля релятивистских электронных пучков и эффекты когерентной генерации излучения в кристаллических, плазменных и диэлектрических структурах : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. И. Бенедиктович |
Authors: | Бенедиктович, А. И. Леонов, А. В. Чючюрка, С. С. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика |
Issue Date: | 2019 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Abstract: | Объектом НИР является спонтанное излучение, создаваемое движущимся электронным пучком малой длительности в кристаллических структурах. Цель работы: исследование свойств электромагнитных полей, создаваемых движущимися зарядами в кристаллических структурах, а также возможности получения ультракоротких импульсов когерентного электромагнитного излучения на основе модуляции заряженных электронных сгустков в этих полях. В результате создана математическая модель для описания начальной стадии процесса самоусиления излучения от электронных сгустков в кристалле в режиме линейного отклика; построен теоретический формализм самосогласованной эволюции излучения в кристалле и состояния каналированных электронов при больших плотностях тока в рамках первого порядка теории возмущений; показано, что переход от спонтанного к самоусиленному режиму излучения каналированных электронов достигается при учете вырождения возбужденных состояний поперечной составляющей движения электронного сгустка; произведена численная оценка параметров, при которых может одновременно происходить генерация электромагнитного излучения в режиме параметрического рентгеновского излучения и излучения каналированием; показано, что влияние реальных параметров системы может быть введено путем модификации полученных модельных выражений; изучен режим скользящей геометрии вхождения пучка в кристалл и произведен анализ граничных условий и их влияние на распределение электромагнитного поля, формируемого электронным сгустком в кристалле; показано, что вид граничных условий в значительной степени влияет на возникновение эффекта самоусиления; произведен анализ параметров задачи и определены условия максимума инкремента неустойчивости, приводящего к экспоненциальному росту интенсивности. Аналитические результаты подкреплены численными расчетами, которые позволяют уточнить теоретические оценки. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236589 |
Registration number: | № госрегистрации 20171508 |
Appears in Collections: | Отчеты 2019 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20171508 Бенедиктович.pdf | 1,07 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.