Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233913| Заглавие документа: | Гипердопирование кремния металлическими примесями при ионном облучении |
| Другое заглавие: | Hyperdoping of Si by Metal Impurities upon Ion Irradiation / Rustem Bayazitov, Rafael Batalov, Ildar Faizrakhmanov, Amir Gumarov |
| Авторы: | Баязитов, Р. М. Баталов, Р. И. Файзрахманов, И. А. Гумаров, А. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 205-208. |
| Аннотация: | Проведено гипердопирование приповерхностного слоя монокристаллического кремния p-типа проводимости (p-Si) металлическими примесями (Fe и Ti) при его облучении пучком ионов ксенона (Xe+) с низкой энергией (E = 1 кэВ) и высокой плотностью тока (j = 100 мкА/см2). Пучок ионов Xe+ использовался как для распыления металлических мишеней из Fe и Ti, так и для одновременного облучения поверхности p-Si с осажденными атомами металлов для их внедрения. Методом ВИМС установлено накопление вблизи поверхности p-Si высокой концентрации металлов (~ 10 22 см-3), значительно превышающей их равновесную растворимость. (~ 10 16 см-3). Исследования методом ПЭМ показали образование вблизи поверхности тонкого слоя, содержащего наночастицы Si и Fe размером 5-20 нм. Исследования магнитных свойств легированных железом образцов показали переход от ферромагнитного поведения к суперпарамагнитному при повышении температуры от гелиевой до комнатной. Образцы Si:Fe и Si:Ti демонстрировали диодные ВАХ и интенсивный фотоотклик в видимой и ближней ИК области при низких рабочих напряжениях (1-2 В). Такие образцы перспективны для применений в фотодиодах и солнечных элементах. |
| Аннотация (на другом языке): | The near-surface layer of single-crystal Silicon of p-type conductivity (p-Si) was hyperdoped with metal impurities (Fe and Ti) when it was irradiated with a beam of xenon ions (Xe+) with low energy (E = 1 keV) and high current density (j = 100 μA/cm2). The beam of Xe+ ions was used both for sputtering metallic cylinder-shaped targets made of pure Fe or Ti, and for simultaneously irradiating the surface of p-Si with deposited metal atoms for their incorporation. The SIMS method established the accumulation near the surface of p-Si of a high concentration of metals (~ 10 22 cm -3 ), significantly exceeding their equilibrium solubility in Si (~ 10 16 cm-3). TEM studies showed the formation near the surface of a thin layer (< 10 nm) containing Si and Fe nanoparticles 5–20 nm in size. Studies of the magnetic properties of Fe-doped samples showed a transition from ferromagnetic to superparamagnetic behavior with increasing temperature from helium to room. The Si:Fe and Si:Ti samples demonstrated diode I–V characteristics and an intense photoresponse in the visible and near IR regions at low operating voltages (1-2 V). These samples are perspective for photodiode and solar cell applications. |
| Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of Material Properties |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233913 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ и Правительства Республики Татарстан №18-48-160011. В работе использовалось оборудование ФЦКП ФХИ КФУ. |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 205-208.pdf | 494,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.