Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233801Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Borzdov, A. V. | |
| dc.contributor.author | Borzdov, V. M. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:20Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:20Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 23-25. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233801 | - |
| dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids | |
| dc.description.abstract | Self-consistent ensemble Monte Carlo simulation of charge carrier transport in submicron SOI MOSFET is performed. A short-channel SOI MOSFET with 100 nm channel length is considered. The transistor drain current response under the effect of picosecond pulsed laser irradiation is calculated. The simulation is done for the irradiation power density of 5*10 10 W/m2 for 532 nm and 650 nm wavelengths. Time dynamics of the drain current density under the irradiation effect has been investigated for several values of the drain bias | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Monte Carlo Simulation of Pulsed Laser Irradiation Effect on Electrical Characteristics of Submicron SOI MOSFET | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.