Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/232591| Заглавие документа: | Формирование контактов к эпитксиальным слоям карбида кремния |
| Авторы: | Козодоев, С. В. Глинник, М. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | 76-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета [Электронный ресурс] : материалы конф. В 3 ч. Ч. 1, Минск, 13–24 мая 2019 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Г. Сафонов (пред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 173-176. |
| Аннотация: | В данной работе были получены и исследованы выпрямляющие структуры с барьером Шоттки на основе эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC). Установлено, что при отжиге улучшаются вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур за счет образования силицида. |
| Доп. сведения: | Факультет радиофизики и компьютерных технологий |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/232591 |
| ISBN: | 978-985-566-808-5; 978-985-566-809-2 (ч. 1) |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. В трех частях |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 173-176.pdf | 583,75 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.