Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/232591Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Козодоев, С. В. | |
| dc.contributor.author | Глинник, М. А. | |
| dc.date.accessioned | 2019-10-17T12:21:56Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-17T12:21:56Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | 76-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета [Электронный ресурс] : материалы конф. В 3 ч. Ч. 1, Минск, 13–24 мая 2019 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Г. Сафонов (пред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 173-176. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-808-5; 978-985-566-809-2 (ч. 1) | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/232591 | - |
| dc.description | Факультет радиофизики и компьютерных технологий | |
| dc.description.abstract | В данной работе были получены и исследованы выпрямляющие структуры с барьером Шоттки на основе эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC). Установлено, что при отжиге улучшаются вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур за счет образования силицида. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Формирование контактов к эпитксиальным слоям карбида кремния | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. В трех частях | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 173-176.pdf | 583,75 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.