Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/228619
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Petrović, S. | - |
dc.contributor.author | Gaković, B. | - |
dc.contributor.author | Peruško, D. | - |
dc.contributor.author | Trtica, M. | - |
dc.contributor.author | Jelenković, B. | - |
dc.contributor.author | Stratakis, E. | - |
dc.date.accessioned | 2019-08-23T08:27:50Z | - |
dc.date.available | 2019-08-23T08:27:50Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Физика и диагностика лабораторной и астрофизической плазмы (ФДП-9) : труды IX белорусско-сербского симпозиума, Минск, 16–21 сентября 2012 г. / Под ред. В.И. Архипенко, В.С. Буракова и В.К. Гончарова − Минск : Ковчег, 2012 г. − С. 79-82 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-7055-04-3 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/228619 | - |
dc.description.abstract | In this work we reported the effects of femtosecond laser on the morphology and structure of WTi thin film (thickness of ~190 nm) deposited on single crystal Si(100) wafer. Irradiation was performed in air by linearly polarized and focused femtosecond laser beam. The main characteristics of used laser system: pulse duration 40 fs, pulse repetition rate 1 kHz, wavelength 800 nm. The sample surface was irradiated using maximum energy of 7 μJ per pulse. The results demonstrate the possibility of laser induced periodical surface structures (LIPSS) formation on the thin film surface and on the Si substrate. | - |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : Ковчег | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Morphology of WTi thin film processing by femtosecond laser | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | 2012. Физика и диагностика лабораторной и астрофизической плазмы (ФДП-9) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.