Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226332Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Пономарь, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Тарасик, М. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-08-06T12:56:02Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-06T12:56:02Z | - |
| dc.date.issued | 1998 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1998. – № 2. – С. 26-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226332 | - |
| dc.description.abstract | Fusing processes in boron- and phosphor-silicate glasses using rapid thermal processing were investigated. It is shown that this method leads to improvement of electrical characteristics of the elements in integrated circuits. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Планаризация поверхности изолирующего диэлектрика с использованием быстрой термической обработки | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1998, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.