Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223934Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-16T09:39:49Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-16T09:39:49Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Сборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013" / редкол. : А. И. Жук (пред.) [и др.]. - Минск : Изд. центр БГУ, 2014. - С. 28-32 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-227-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223934 | - |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.title | Процессы формирования нанокристаллов А 3 В 5 и IV группы в структурах SiO 2 /Si методом высокодозной ионной имплантации и термообработок | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.description.alternative | The formation of tin nanoclusters as well as A 3 B 5 nanocrystals in SiO 2 /Si matrix using a high-dose implantation technique followed by high-temperature processing was studied. Structure and composition were studied by Rutherford backscattering spectroscopy and plan-view and cross-sectional transmission electron microscopy. In a case of the A 3 B 5 nanocrystals formation a broad photoluminescence band with the maximum of 0.99 eV is registered. It has been found that postimplantation annealing results in the β-Sn precipitation as well as the formation of SnO 2 -enriched regions in SiO 2 :Sn matrix. The rest of the impurity is dissolved in the matrix of SiO2 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Сборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013" | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.