Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223927| Заглавие документа: | Применение метода конечных элементов для расчета характеристик модели кубита в кремнии |
| Авторы: | Левчук, Е. А. Макаренко, Л. Ф. |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Сборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013" / редкол. : А. И. Жук (пред.) [и др.]. - Минск : Изд. центр БГУ, 2014. - С. 26 |
| Аннотация (на другом языке): | The application of the finite element method for simulation the effect of electric field on shallow donor states near the surface of the semiconductor is considered. The influence of geometrical parameters on the ionization potential of the donor is studied. Peculiarities of donor states for different gate configurations are investigated |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223927 |
| ISBN: | 978-985-553-227-0 |
| Располагается в коллекциях: | Сборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013" |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.