Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Главное управление науки
  3. Научные конференции студентов и аспирантов
  4. Сборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013"
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223927
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛевчук, Е. А.-
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.-
dc.date.accessioned2019-07-16T09:31:34Z-
dc.date.available2019-07-16T09:31:34Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationСборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013" / редкол. : А. И. Жук (пред.) [и др.]. - Минск : Изд. центр БГУ, 2014. - С. 26ru
dc.identifier.isbn978-985-553-227-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223927-
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.titleПрименение метода конечных элементов для расчета характеристик модели кубита в кремнииru
dc.typearticleru
dc.description.alternativeThe application of the finite element method for simulation the effect of electric field on shallow donor states near the surface of the semiconductor is considered. The influence of geometrical parameters on the ionization potential of the donor is studied. Peculiarities of donor states for different gate configurations are investigatedru
Appears in Collections:Сборник научных работ студентов Республики Беларусь "НИРС 2013"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
26.pdf347,15 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.