Ионно-ассистированное магнетонное распыление

Abstract

Разработана система ионно-ассистированого магнетронного распыления, в которой несбалансированный магнетрон (UBM) используется совместно с ионным источником на основе торцевого холловского ускорителя (EHIS). Электронный поток из разряда UBM использовался в качестве источника электронов для поддержания разряда ионного и компенсации пространственного заряда EHIS. При включенном ионном источнике разряд UBM возникал при давлении 0.02 Па, что невозможно было достичь без ионного источника. Установлены соотношения баланса токов разрядной системы "UBM - EHIS". Установлено, что полная компенсация ионного потока источника достигается при токе разряда иВМ порядка 0.75 от тока разряда ионного источника и давлении в рабочей камере более 0.085 Па. При более низких давлениях скомпенсированность разряда достигается при более низком от рабочего токе накального компенсатора. Метод ионно-ассистированого магнетронного распыления позволяет с одной стороны выполнять низкознергетическую (порядка 10 эВ) ионную бомбардировку подложки в процессе роста пленок, а с другой - дает возможность независимо управлять структурно-фазовыми и адгезионными свойствами использованием дополнительной ионной бомбардировки ионами с энергией порядка 100 эВ.