Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223679
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
dc.contributor.author | Комаров, А. Ф. | - |
dc.date.accessioned | 2019-07-12T07:04:09Z | - |
dc.date.available | 2019-07-12T07:04:09Z | - |
dc.date.issued | 2007 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 208-210. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-476-530-3 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223679 | - |
dc.description.abstract | Использованы режимы совместной с ионами BF2+ имплантации углерода и ступенчатых термообработок (в том числе режим быстрого термического отжига) для минимизации эффекта неравновесной ускоренной диффузии атомов бора в кремнии. Совместная с ионами BF2+ имплантация ионов С+ позволяет уменьшить глубину залегания формируемого при последующей термообработке р+-n перехода на ~ 70 нм. Использование режима быстрого термического отжига приводит к улучшению параметров формируемых мелких р+-n переходов в кремнии; увеличение поверхностной концентрации электрически активной примеси, увеличение степени активации легирующей примеси, снижение слоевого сопротивления. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Совместная с ионами BF2+ имплантация углерода при создании Р+-N-переходов в кремнии | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2007. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
208-210.pdf | 599,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.