Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223644
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Карпович, И. А. | - |
dc.contributor.author | Сидоренко, Ю. В. | - |
dc.contributor.author | Фенюк, Т. К. | - |
dc.contributor.author | Янковский, О. Н. | - |
dc.date.accessioned | 2019-07-12T06:31:58Z | - |
dc.date.available | 2019-07-12T06:31:58Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 274-275 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223644 | - |
dc.description.abstract | Работа большинства полупроводниковых приборов основана на неравновесной проводимости, т. е. на инжекции, диффузии, дрейфе и рекомбинации неравновесных носителей тока. Величина и характер распределения неравновесных носителей заряда, а следовательно, и их времени жизни меняются в широких пределах, в зависимости от условий их генерации, типа примесных центров, их концентрации в объеме и на поверхности пластины. Исследование этих неоднородностей имеет важное значение для изучения различных физических процессов, а также для увеличения выхода годных полупроводниковых приборов и уменьшения разброса их параметров. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Автоматизация измерении в лабораторном практикуме | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
274-275.pdf | 384,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.