Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223644
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКарпович, И. А.-
dc.contributor.authorСидоренко, Ю. В.-
dc.contributor.authorФенюк, Т. К.-
dc.contributor.authorЯнковский, О. Н.-
dc.date.accessioned2019-07-12T06:31:58Z-
dc.date.available2019-07-12T06:31:58Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 274-275ru
dc.identifier.isbn978-985-518-091-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223644-
dc.description.abstractРабота большинства полупроводниковых приборов основана на неравновесной проводимости, т. е. на инжекции, диффузии, дрейфе и рекомбинации неравновесных носителей тока. Величина и характер распределения неравновесных носителей заряда, а следовательно, и их времени жизни меняются в широких пределах, в зависимости от условий их генерации, типа примесных центров, их концентрации в объеме и на поверхности пластины. Исследование этих неоднородностей имеет важное значение для изучения различных физических процессов, а также для увеличения выхода годных полупроводниковых приборов и уменьшения разброса их параметров.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleАвтоматизация измерении в лабораторном практикумеru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2008. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
274-275.pdf384,51 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.