Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223581
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Доросинец, В. А. | - |
dc.contributor.author | Шварков, С. Д. | - |
dc.date.accessioned | 2019-07-11T09:40:17Z | - |
dc.date.available | 2019-07-11T09:40:17Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 233-236 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223581 | - |
dc.description.abstract | Сильное взаимодействие между зарядовой, орбитальной, решеточной и спиновой степенями свободы в манганитах обуславливает существование в них огромного количества разнообразных фаз, кардинально отличающихся по величине и характеру электропроводности, магнитным и оптическим свойствам. Эта особенность обуславливает перспективность манганитов для создания элементов магниторезистивной памяти, магнитооптических и магнитоэлектрических приборов, компонентов оптических датчиков в далекой инфракрасной и терагерцовой области. В настоящее время наибольшее практическое применение нашел эффект колоссального магнитосопротивления (КМС), наблюдающийся для определенного класса манганитов. Эффект КМС состоит в изменении в десятки и сотни раз сопротивления образцов при приложении магнитного поля. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Влияние магнитного упорядочения на электропроводность в манганитах: теория и эксперимент | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
233-236.pdf | 679,58 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.