Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медь

Abstract

Методами эффекта Холла и релаксационной емкостной спектроскопии исследованы процессы радиацинного дефектообразования в выращенных по методу Чохральского кристаллах кремния (Cz-Si) п-типа, содержащих примесные атомы меди. Установлено, что как в кристаллах Cz-Si:Cu, так и в аналогичных кристаллах не содержащих меди, доминирующими электрически активными дефектами, введенными облучением электронами при комнатной температуре, являются комплексы вакансия-кислород (VО) и дивакансия (V2). Найдено, что отжиг комплексов VО и V2 в кристаллах Cz-Si:Cu происходит в интервалах температур на 100-150 °С ниже по сравнению с температурами отжига этих центров в кристаллах Si без меди. Наблюдаемый эффект связывается с взаимодействием подвижных атомов меди с радиационными дефектами вакансионного типа.