Механизмы формирования и термическая стабильность вакансионно-кислородных нанокластеров в облученных кристаллах Si

Abstract

Традиционный подход к управлению свойствами полупроводниковых материа­лов на основе легирования примесями наталкивается в ряде случаев на принципи­альные ограничения, обусловленные отсутствием в природе примесей с подходящи­ми свойствами, низким пределом растворимости атомов многих примесей, высокой концентрацией электрически активных собственных дефектов решетки в легирован­ном материале, загрязнением материалов в процессе высокотемпературных процес­сов легирования. В связи с этим в последние годы активно развивается новый подход к управлению свойствами полупроводников, основанный на формировании в полу­проводниковой матрице наноразмерных кластеров, в состав которых могут входить атомы вводимых и остаточных примесей, атомы собственных компонентов, а также собственные точечные дефекты.