Влияние примеси азота на фотоэлектрические свойства синтетических монокристаллов алмаза

Abstract

Синтетический алмаз является перспективным материалом для детекторов ульт­рафиолетового (УФ) и ядерных излучений. Однако современная технология синтеза монокристаллов алмаза не позволяет с необходимой точностью управлять дефектно-примесным составом выращиваемых кристаллов. Добываемые природные кристаллы алмаза также отличаются от образца к образцу. Поэтому одной из про­блем использования как природных, так и синтетических алмазов для детектирова­ния УФ и ядерных излучений является необходимость предварительного отбора ис­ходных кристаллов. Основной фоновой примесью как в природных, так и в синтетических алмазах является азот. Азот входит в состав большинства структурных дефектов и определя­ет основные отличия кристаллов. Учитывая, что принципы детектирования фото­нов и частиц алмазными детекторами основаны на явлении фотопроводимости, в данной работе было рассмотрено влияние примеси азота на фотоэлектрические свой­ства синтетических алмазов.