Синтез пленок SiC при импульсной фотонной обработке кремния в углеродосодержащей среде

Abstract

Методами ПЭМ и ДБЭ проведены исследования фазового состава, структуры и ориентации пленок, полученных при импульсной фотонной обработке Si-подложки в углеродосодержащей среде. Показана возможность синтеза ориентированных пленок SiC. Определена пороговая энергия поступающего излучения, необходимого для активации процесса Установлено, что совершенство структуры эпитаксиальных пленок карбида кремния зависит от парциального давления газа и энергии излучения. Методом УМРЭС установлено, что для всех синтезированных пленок наряду с кристаллической фазой (b-SiC) присутствует аморфная фаза (a-SiC), количество которой с увеличением дозы облучения уменьшается.