Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия монокристаллов GaSe

Abstract

Обладающие ярко выраженной анизотропией физических свойств кристаллы GaSe перспективны для применений в нелинейной оптике, фотоэлектронике, фотовольтаике и т. д. Электрически активные дефекты в низкоомном GaSe исследованы достаточно подробно [1-4], в то время как требующиеся в ряде случаев для практического использования высокоомные кристаллы изучены значительно меньше. В настоящей работе представлены результаты исследований электрически активных дефектов в высокоомных монокристаллах GaSe методом фотоэлектрической релак- сационной спектроскопии (PICTS [5]). Кристаллы GaSe имели p-jvm проводимости с концентрацией носителей заряда 3 1 ( ) " см ' при 300 К. Омические контакты формировались серебряной пастой на лицевой (освещаемой) поверхности кристалла - плоскости скола. Качество контактов оценивали по вольтамперной характеристике, которая была линейна при комнатной температуре. Световое возбуждение падало перпендикулярно поверхности кристалла, параллельно оси с. Спектральный диапазон возбуждения выбирался из условия получения максимального фотоотклика и соответствовал энергии фотонов hv = 1,9-2,0 эВ. Плотность потока фотонов на поверхности образца составляла lu' см'^с"'. Для исключения влияния зависимости от температуры подвижности и времени жизни свободных носителей заряда при расчете спектров сигнал фотоотклика нормировался на величину стационарного фотоотклика.