Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223121Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Колковский, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Лугаков, П. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-05T12:21:52Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-05T12:21:52Z | - |
| dc.date.issued | 1997 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 2. – С. 27-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223121 | - |
| dc.description.abstract | The recombination of the charge carrier in p-Si (p0 ~ 1,3*1015 cm-3) grown by Chochralski method has been studied. The temperature and injection dependences of the charge-carrier lifetime were measured. The results were interpreted assuming that the charge-carrier lifetime is limited by the diffusion velocity to grown-in defects of structure surrounded by the potential barrier. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Ограниченная диффузией рекомбинация носителей заряда на ростовых дефектах в р-кремнии | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.