Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223120| Заглавие документа: | Высокоэнергетичная ионная имплантация в алмаз |
| Авторы: | Филипп, А. Р. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1997 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 2. – С. 22-26. |
| Аннотация: | Some peculiarities of defect production in diamond irradiated with high energy ions have been investigated. Defect structure in subsurface layer and in the layer located deeper than projected ion range are considered on a basis of ion track production and defect diffusion, respectively. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223120 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Финансовая поддержка: | Данная работа была частично профинансирована в рамках проекта INTAS-94-1982. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №2 (май) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.