Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223120Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Филипп, А. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-05T12:18:50Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-05T12:18:50Z | - |
| dc.date.issued | 1997 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 2. – С. 22-26. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223120 | - |
| dc.description.abstract | Some peculiarities of defect production in diamond irradiated with high energy ions have been investigated. Defect structure in subsurface layer and in the layer located deeper than projected ion range are considered on a basis of ion track production and defect diffusion, respectively. | ru |
| dc.description.sponsorship | Данная работа была частично профинансирована в рамках проекта INTAS-94-1982. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Высокоэнергетичная ионная имплантация в алмаз | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.