Анализ токового ограничения в лазерах с потенциальными барьерами: аннотация к дипломной работе / Андрей Максимович Чаускин; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А.

Abstract

Цель работы – определение влияния наличия дополнительного барьерного слоя на токовые и мощностные характеристики лазерных гетероструктур на основе GaInAs/GaAs. В ходе исследований были получены зависимости выходной мощности, максимальной температуры в активной области, среднего коэффициента поглощения свободными носителями, доли утечки электронного тока в p-эмиттер и суммарного параметра оптического ограничения для перечисленных структур.