Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215546
Title: | Разработка и исследование алмазных фотоприемников барьерного типа для регистрации ультрафиолетового и ионизирующих излучений (1.1.12) : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. М. Казючиц |
Authors: | Казючиц, Н. М. Русецкий, М. С. Макаренко, Л. Ф. Казючиц, В. Н. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Геология ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность |
Issue Date: | 2018 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Abstract: | Объектами исследования являются синтетические алмазы СТМ «Алмазот» производства ООО «АдамасИнвест» (Республика Беларусь) и тестовые детекторные структуры на их основе. Цель работы – изготовление на основе кристаллов СТМ «Алмазот» тестовых фотоприемников со встроенным барьером. Основные методы исследований: электро- и фотопроводимости, спектроскопия поглощения, спектроскопия фотопроводимости. В процессе НИР использовались следующие приборы: - дозиметр ДКС-АТ5350, - монохроматор МДР-12У, - пикоамперметр A2-4, - ИК-Фурье спектрометр Vertex 70, - спектрометр Cary300 Bio. В ходе выполнения изготовлены, исследованы и отобраны пластины синтетических алмазов СТМ «Алмазот» производства ООО «Адамас Инвест» для создания тестовых барьерных структур; апробированы несколько методов изготовления тестовых структур с барьерами: имплантации ионов бора, напыления металлов, напыления оксидов индия и олова, обработки поверхности алмаза в плазме водорода; исследованы электрические, фотоэлектрические характеристики и спектральная чувствительность тестовых барьерных структур. Все виды обработки приводили к созданию барьеров между модифицированным приповерхностным слоем и объемом алмаза, которые обнаруживали себя в нелинейной зависимости величины тока от напряжения и формировании тока фотоионизации без приложения внешнего напряжения смещения при освещении барьерных структур. В результате проведенной работы внедрены методы создания алмазных фотоприемников барьерного типа для регистрации ультрафиолетового и ионизирующих излучений без приложения внешнего напряжения смещения. Экспериментально подтверждена возможность создания детекторных структур барьерного типа на основе синтетических алмазов отечественного производства. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215546 |
Registration number: | № госрегистрации 20161418 |
Appears in Collections: | Отчеты 2018 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20161418 Казючиц.doc | 30,95 MB | Microsoft Word | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.