Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215273| Заглавие документа: | Электрические свойства пленок диоксида олова различного стехиометрического состава |
| Другое заглавие: | Electrical properites of tin dioxide films with different stoichiometric composition / D. V. Adamchuk, V. K. Ksenevich, A. D. Wieck |
| Авторы: | Адамчук, Д. В. Ксеневич, В. К. Wieck, A. D. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 367-372. |
| Аннотация: | Исследованы электрические и структурные свойства пленок оксидов олова различного стехиометрического и фазового состава, которые были получены путем магнетронного распыления с последующим окислительным отжигом. Показано, что фазовый состав, стехиометрия и кристаллическая структура оказывают существенное влияние на концентрацию кислородных вакансий и, следовательно, на проводимость пленок. Дефектная структура поликристаллических пленок, формируемых при температурах отжига 400–500 °С, приводит к возрастанию влияния рассеяния носителей заряда в образцах на их подвижность, увеличивая их сопротивление. При увеличении температуры отжига происходит улучшение структурного совершенства пленок, что выражается в возрастании подвижности и уменьшении концентрации носителей заряда. Показана определяющая роль концентрации кислородных вакансий в величине электропроводности пленок. |
| Аннотация (на другом языке): | Electrical and structural properties of tin oxide films with different stoichiometric and phase composition were studied. Films were obtained by magnetron sputtering with the following oxidative annealing. It was found that phase composition, stoichiometry and crystalline structure have a significant effect on the concentration of oxygen vacancies and on the films’ conductivity. The defect structure of these polycrystalline films fabricated at annealing temperatures of 400–500 °C leads to increase of the influence of charge carriers scattering and their mobility increasing thus films’ resistance. Rising of the annealing temperature induces improvement of the films’ crystalline structure increasing thus mobility and decreasing concentration of charge carriers. The main role of the oxygen vacancies’ concentration on the electrical conductivity of films was demonstrated. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215273 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 367-372.pdf | 408,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.