Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215273
Title: Электрические свойства пленок диоксида олова различного стехиометрического состава
Other Titles: Electrical properites of tin dioxide films with different stoichiometric composition / D. V. Adamchuk, V. K. Ksenevich, A. D. Wieck
Authors: Адамчук, Д. В.
Ксеневич, В. К.
Wieck, A. D.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 367-372.
Abstract: Исследованы электрические и структурные свойства пленок оксидов олова различного стехиометрического и фазового состава, которые были получены путем магнетронного распыления с последующим окислительным отжигом. Показано, что фазовый состав, стехиометрия и кристаллическая структура оказывают существенное влияние на концентрацию кислородных вакансий и, следовательно, на проводимость пленок. Дефектная структура поликристаллических пленок, формируемых при температурах отжига 400–500 °С, приводит к возрастанию влияния рассеяния носителей заряда в образцах на их подвижность, увеличивая их сопротивление. При увеличении температуры отжига происходит улучшение структурного совершенства пленок, что выражается в возрастании подвижности и уменьшении концентрации носителей заряда. Показана определяющая роль концентрации кислородных вакансий в величине электропроводности пленок.
Abstract (in another language): Electrical and structural properties of tin oxide films with different stoichiometric and phase composition were studied. Films were obtained by magnetron sputtering with the following oxidative annealing. It was found that phase composition, stoichiometry and crystalline structure have a significant effect on the concentration of oxygen vacancies and on the films’ conductivity. The defect structure of these polycrystalline films fabricated at annealing temperatures of 400–500 °C leads to increase of the influence of charge carriers scattering and their mobility increasing thus films’ resistance. Rising of the annealing temperature induces improvement of the films’ crystalline structure increasing thus mobility and decreasing concentration of charge carriers. The main role of the oxygen vacancies’ concentration on the electrical conductivity of films was demonstrated.
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215273
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
367-372.pdf408,3 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.