Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215220| Заглавие документа: | Комбинационное рассеяние света в алмазах, облученных высокоэнергетическими ионами ксенона |
| Другое заглавие: | Raman scattering diamonds irradiated with high-energy xenon ions / N. M. Kazuchits, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, V. N. Kazuchits, V. A. Skuratov |
| Авторы: | Казючиц, Н. М. Королик, О. В. Русецкий, М. С. Казючиц, В. Н. Скуратов, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 158-163. |
| Аннотация: | Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы накопление и профили радиационных повреждений в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. Вследствие радиационного повреждения алмазной решетки линия КРС 1332 см -1 уменьшилась по интенсивности, ассиметрично уширилась и сместилась к меньшим частотам. С ростом флюенса облучения наблюдалось также уширение и низкочастотное смещение линии КРС от собственных дефектов в имплантированном слое. Установлена критическая концентрация вакансий для аморфизации алмаза при облучении ионами Хе с энергией 167 МэВ. Показано распределение напряжений за имплантированным слоем. |
| Аннотация (на другом языке): | Accumulation and radiation damage profiles in diamonds after 167 MeV xenon ions implantation were studied by Raman scattering method. Due to the radiation damage, the Raman line (1332 cm -1 ) decreased, asymmetrically broadened and shifted to smaller frequencies. Raman lines of intrinsic defects broaden and low-frequency shift with increase irradiation fluence. Critical vacancy concentration for diamond amorphization by 167 MeV xenon ions is established. The stresses propagating from the implanted layer to the depth were detected. |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215220 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 158-163.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.