Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215220
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКазючиц, Н. М.
dc.contributor.authorКоролик, О. В.
dc.contributor.authorРусецкий, М. С.
dc.contributor.authorКазючиц, В. Н.
dc.contributor.authorСкуратов, В. А.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:17Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:17Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 158-163.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215220-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractМетодом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы накопление и профили радиационных повреждений в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. Вследствие радиационного повреждения алмазной решетки линия КРС 1332 см -1 уменьшилась по интенсивности, ассиметрично уширилась и сместилась к меньшим частотам. С ростом флюенса облучения наблюдалось также уширение и низкочастотное смещение линии КРС от собственных дефектов в имплантированном слое. Установлена критическая концентрация вакансий для аморфизации алмаза при облучении ионами Хе с энергией 167 МэВ. Показано распределение напряжений за имплантированным слоем.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleКомбинационное рассеяние света в алмазах, облученных высокоэнергетическими ионами ксенона
dc.title.alternativeRaman scattering diamonds irradiated with high-energy xenon ions / N. M. Kazuchits, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, V. N. Kazuchits, V. A. Skuratov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeAccumulation and radiation damage profiles in diamonds after 167 MeV xenon ions implantation were studied by Raman scattering method. Due to the radiation damage, the Raman line (1332 cm -1 ) decreased, asymmetrically broadened and shifted to smaller frequencies. Raman lines of intrinsic defects broaden and low-frequency shift with increase irradiation fluence. Critical vacancy concentration for diamond amorphization by 167 MeV xenon ions is established. The stresses propagating from the implanted layer to the depth were detected.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
158-163.pdf1,29 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.