Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215218| Заглавие документа: | Чувствительность к метану нанокомпозитных слоев SnO2/Ag после импульсного лазерного облучения |
| Другое заглавие: | Sensitivity of magnetron deposited and pulsed laser treated SnO2/Ag nanocomposite layers to methane / P. I. Gaiduk, S. L. Prakopyeu |
| Авторы: | Гайдук, П. И. Прокопьев, С. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 149-153. |
| Аннотация: | В настоящей работе представлены результаты исследования газочувствительных свойств нанокомпозитных слоев SnO2/Ag, осажденных магнетронным методом с последующим импульсным лазерным облучением с плотностью энергии W = 2–2,5 Дж/см2. Чувствительность слоев SnO2/Ag к CH4 с концентрацией 2000–20000 ppm в воздухе исследовалась по измерению сопротивления (SR) при T = 200–360 °C. Показано, что ИЛО приводит к увеличению чувствительности нанокомпозитных слоев SnO2/Ag к CH4 до 20 %. |
| Аннотация (на другом языке): | In this paper we report on the characterization of magnetron deposited nanocomposite SnO2/Ag gas sensing layers with subsequent pulsed laser annealing at energy density W = 2–2,5 Jcm-2 . The sensitivity of the layers with respect to 2000–20000 ppm CH4 in air was obtained from both resistivity (SR) measurements at 20–360 °C. As found, PLA results in up to 20 % increase of SnO2/Ag sensitivity to CH4. |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215218 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.2.03 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», номер госрегистрации 20162098. Авторы выражают благодарность ведущему научному сотруднику НИЛ «Материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники» Г.Д. Ивлеву за помощь в проведении импульсного лазерного облучения исследуемых структур. |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 149-153.pdf | 683,65 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.