Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215198
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Маркевич, М. И. | |
dc.contributor.author | Чапланов, А. М. | |
dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | |
dc.contributor.author | Сарычев, О. Э. | |
dc.contributor.author | Кущев, С. Б. | |
dc.contributor.author | Сербин, О. В. | |
dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:12Z | - |
dc.date.available | 2019-02-21T13:28:12Z | - |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 70-73. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215198 | - |
dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
dc.description.abstract | Методами сканирующей электронной микроскопии и электронографии установлены особенности фазовых превращений в системе двухслойная пленка Pt/Ni-Si при БТО. Показаны особенности фотонной обработки перед стационарной обработкой. | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Фазовые превращения в системе: двухслойная пленка Pt/Ni – Si при БТО | |
dc.title.alternative | Phase transformation in Pt/Ni-Si two- layer film system uder rapid thermal processing / M. I. Markevich, A. M Chaplanov, Ya. A. Soloviev, O. E. Sarychev, S. B. Kushchev, O. V. Serbin | |
dc.type | conference paper | |
dc.description.alternative | Scanning electron microscopy and electron diffraction have revealed features of phase transformations in a two-layer Pt/Ni-Si film system in BTO. The features of photon processing before stationary treatment are shown. | |
Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.