Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215196| Заглавие документа: | Электрические характеристики гетероструктуры оксид цинка–кремний при облучении солнечным светом |
| Другое заглавие: | Electrical properties of the zinc oxide-silicon heterostructure under solar radiation / A. A. Kuraptsova, A. L. Danilyuk |
| Авторы: | Курапцова, А. А. Данилюк, А. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 62-66. |
| Аннотация: | В данной работе приводятся результаты моделирования влияния солнечного света на вольт-амперную характеристику гетероструктуры оксид цинка–кремний. Моделирование проводилось с использованием программы PC1D 5.9. Исследовалось влияние длины волны солнечного излучения на выходной фототок и скорость генерации носителей заряда в гетероструктуре оксид цинка–кремний. |
| Аннотация (на другом языке): | In this paper, we present the results of modeling the effect of sunlight on the current-voltage characteristic of a zinc oxide - silicon heterostructure. The simulation was carried out using the PC1D 5.9 program. The influence of the wavelength of solar radiation on the output photocurrent and the charge carrier generation rate in a zinc oxid–silicon heterostructure was studied. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215196 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.