Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215194| Заглавие документа: | Исследование поверхности монокристаллического кремния после обработки в плазме диэлектрического барьерного разряда при атмосферном давлении |
| Другое заглавие: | Investigation of the surface of monocrystalline silicon after processing in a plasma of a dielectric barrier discharge at atmospheric pressure / Y. V. Zaporozhchenko, D. A. Kotov, S. A. Nikitiuk, E. V. Yatsevich, A. N. Osipov |
| Авторы: | Запорожченко, Ю. В. Котов, Д. А. Никитюк, С. А. Яцевич, Е. В. Осипов, А. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 54-57. |
| Аннотация: | Поверхность кремниевой пластины обрабатывалась в плазме при атмосферном давлении. Обработка в плазме диэлектрического барьерного разряда привела к значительному увеличению адгезии. Адгезия определялась на основе измерения коэффициента трения. Зависимость коэффициента трения кремния от режимов обработки изучалась с помощью атомно-силового микроскопа. Использование плазмы атмосферного разряда позволило быстро и качественно изменить свойства поверхности, не разрушая ее. |
| Аннотация (на другом языке): | The silicon wafer surface was treated by atmospheric pressure plasma. Atmospheric plasma improvement resulted in a significant increase in adhesion. The adhesion was measured as a coefficient of friction. The dependence of the friction coefficient of the silicon on the treatment modes was studied by the atomic force microscope. The use of the atmospheric discharge plasma made it possible to change the surface properties rapidly at low cost without destroying it. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215194 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.