Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215193
Заглавие документа: | Моделирование процессов магнетронного распыления с использованием сегментированной функции |
Другое заглавие: | Modeling of magnetron sputtering system using segmented function / R. Diaz, D. A. Kotov |
Авторы: | Диас, P. Котов, Д. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 50-54. |
Аннотация: | Представлена математическая модель формирования профиля эрозии мишени круглой магнетронной распылительной системы. Разработанная модель основана на математическом описании функции по частям, которая делится на 3 функции: 2 экспоненты и парабола. Для проверки предложенной модели были сделаны измерения выработанной алюминиевой мишени диаметром 100 мм и толщиной 6 мм. Анализ результатов исследования показал, что погрешность расчетной модели не превышает 10,0 %. |
Аннотация (на другом языке): | A mathematical model of modeling the erosion profile in magnetron sputtering is presented. The model is developed based on a mathematical description of the function by parts, which is divided into 3 functions: 2 exponents and parabola. To test the proposed model, measurements were made of an aluminum target with a diameter of 100 mm and a thickness of 6 mm. Analysis of the results of the study shows that the simulation error does not exceed 10.0%. |
Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215193 |
ISBN: | 978-985-566-671-5 |
Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.