Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/211576
Title: | Разработка и исследование методов численного анализа, параллельных алгоритмов, разномасштабных алгоритмов моделирования для решения задач математической физики и прикладных задач микроэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. И. Белько |
Authors: | Белько, В. И. Макаренко, Л. Ф. Урбанович, А. И. Дугинов, О. И. Левчук, Е. А. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Abstract: | Объектом исследований являются кластеры точечных дефектов в кремнии и германии, а также нанокластеры дефектов с участием легирующих атомов, которые образуются в пересыщенных растворах собственных точечных дефектов и атомов примесей. Цель работы – разработка программного комплекса для моделирования процессов формирования наноструктурных элементов электроники, основанного на использовании методов молекулярной динамики, квантовой химии и кинетического метода Монте-Карло, адаптированного к высокопроизводительным вычислительным платформам. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: параметризация эмпирического функционала заданного типа; разработка и реализация параллельной версии алгоритма молекулярной динамики; выбор и реализация алгоритма кинетического метода Монте-Карло; разработка, реализация и тестирование разномасштабного алгоритма, объединяющего кинетический метод Монте-Карло и метод молекулярной динамики. В результате выполнения задач НИР был разработан программный комплекс, интегрирующий в себе расчеты методом кинетического Монте-Карло и молекулярной динамики в одном цикле моделирования, для многоуровневого описания зарождения и роста ансамблей нанокластеров собственных дефектов. Программный комплекс был использован для прогнозирования остаточного уровня и параметров радиационных повреждений в кремнии и кремний-германиевых сплавах в условиях, представляющих интерес для практических приложений.полнено многоуровневое моделирование самонагревания полностью обедненных КНИ МОП транзисторов с использованием метода классической молекулярной динамики в сочетании с расчетами теплового поля на основе численного решения уравнения теплопроводности. Поскольку термические свойства тонких кремниевых слоев (толщиной несколько нанометров) существенно отличаются от названных свойств сплошного кремния, для описания теплопереноса в канале МОП транзисторов, содержащих ультатонкие кремниевые слои, применялся метод молекулярной динамики. Было показано, что локальное увеличение температуры в транзисторах данного типа может превышать 200 К, если средняя температура в прилежащей области составляет 500 К. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/211576 |
Registration number: | № гос. регистрации 20120331 |
Appears in Collections: | Отчеты 2015 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
отчет Белько 20120331.doc | 2,85 MB | Microsoft Word | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.