Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/211329Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бумай, Юрий Александрович | - |
| dc.contributor.author | Лукашевич, Михаил Григорьевич | - |
| dc.contributor.author | Скрипка, Дмитрий Алексеевич | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-19T07:08:53Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-19T07:08:53Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2003. - № 3. – С. 18-24. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/211329 | - |
| dc.description.abstract | Weak localization and electron-electron interaction processes in two dimensional electron (2D) gas of single GaAs - AlGaAs heterojunction with two occupied qantum subbands have been studied using low temperature transport measurements. The transport characteristics have been interpreted within the model with two conductive layers corresponding to 2D and 3D electron gasses. The effects of weak localization on transport properties of two-dimensional (2D) electron gas in low magnetic fields and electron-electron interaction in large ones have been observed. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Магниторезистивный эффект слабо разупорядоченного гетероперехода GaAs - AlGaAs | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.