Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/210818Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Соловьев, Валерий Сергеевич | - |
| dc.contributor.author | Гусаков, Григорий Анатольевич | - |
| dc.contributor.author | Крекотень, Олег Владимирович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-13T09:58:17Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-13T09:58:17Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2003. - № 1. – С. 42-45. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/210818 | - |
| dc.description.abstract | The composition of titanium and titanium nitride films deposited on the synthetic diamond using the method magnetron sputtering has been studied. It is shown that annealing at high temperature (700-800 °C) leads to the formation of a titanium carbide layer at the diamond/Ti interface. Nitrogen does not diffuse into carbide layer and adjacent region of diamond. Titanium nitride layer also is a good diffusion barrier for titanium and gold deposited on the nitride surface. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Использование TiN в качестве барьерного слоя в системе металлизации Ti/TiN/Au при формировании низкоомных контактов к алмазу | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.