Формирование примесно-дефектных комплексов в кремнии, выращенном при наложении на расплав магнитных полей

Abstract

The properties of silicon (M-Si) received by Czochralski method from the melts under the influence of vertical magnetic field with intensity 0,05 T are investigated by methods of microindention, measurements of IR absorption spectra, Hall effect and conductivity. The effect of increase in the interstitial oxygen concentration was found out for M-Si heat treatment. It was shown, that microhardness of M-Si is higher (~8 %), than at the silicon grown by the traditional Czochralski method. The features of M-Si behaviour are caused by formation of oxygen-containing impurity-defect complexes in the process of the growth. On heat treatment the specified complexes break up with allocation of interstitial oxygen that promotes suppression of the effect of thermal hardening, characteristic for the silicon monocrystals received by the traditional Czochralski method. = Методами микроиндентирования, измерения спектров ИК-поглощения, эффекта Холла и проводимости исследованы свойства кремния (М-Si), полученного по методу Чохральского при наложении на расплав вертикального магнитного поля напряженностью 0,05 Тл. Обнаружен эффект увеличения концентрации междоузельного кислорода в процессе термообработки М-Si. Показано, что микротвердость М-Si выше (на ~8 %), чем у кремния, выращенного традиционным методом Чохральского без наложения магнитного поля. Особенности поведения М-Si обусловлены формированием в процессе выращивания кислородсодержащих дефектно-примесных комплексов. В процессе термообработки указанные комплексы распадаются с выделением междоузельного кислорода, что способствует подавлению эффекта термического упрочнения, характерного для монокристаллов кремния, полученных традиционным методом Чохральского.