«Магнитоанизотропные спинтронные нанокомпозиционные пленки для разработки устройств магнитной памяти и сенсорики». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматерилы», подпрограмма «Кристаллические и молекулярные структуры», задание 1.37 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. В. Мазаник

Abstract

Объектом исследования являются обладающие магнитной анизотропией нанокомпозиционные пленки (FeCoZr)х(D)100-х (40 ≤ х ≤ 80 ат. %, D − CaF2, PbZrTiO3, Al2O3). Цель работы – установление закономерностей транспорта носителей заряда в пленках (FeCoZr)х(D)100-х (40 ≤ х ≤ 80 ат. %, D − CaF2, PbZrTiO3, Al2O3), синтезированных методом ионно-лучевого распыления составных мишеней в чистом аргоне и аргоно-кислородной смеси. Основные методы исследования: измерение проводимости на постоянном токе в зависимости от температуры и индукции магнитного поля, измерение импеданса в зависимости от температуры и частоты переменного тока, фотолюминесцентная спектроскопия. В результате проведенных исследований установлена и объяснена взаимосвязь между структурой, фазовым составом и электроннотранспортными свойствами магнитоанизотропных нанокомпозиционных пленок «металл-диэлектрик» вида (FeCoZr)х(D)100-х (40 ≤ х ≤ 80 ат. %, D − CaF2, PbZrTiO3, Al2O3), синтезированных методом ионно-лучевого распыления составных мишеней в чистом аргоне и аргоно-кислородной смеси. В частности, показано, что эффект «отрицательной емкости» усиливается (наблюдается в более широком диапазоне частот, температур и концентраций металлической фазы), когда энергия активации прыжковой проводимости увеличивается в ряду CaF2  Al2O3  PbZrTiO3 за счет увеличения диэлектрической проницаемости, а магнитосопротивление исследованных нанокомпозитов в общем случае определяется конкуренцией отрицательного вклада, определяемого подавлением процессов слабой локализации магнитным полем, и знакопеременного вклада, связанного со спинзависимым рассеянием / туннелированием электронов.