Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208822| Заглавие документа: | Интенсивность рассеяния электронов на полярных оптических фононах в квантовой яме двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе арсенида галлия |
| Авторы: | Борздов, Владимир Михайлович Поздняков, Дмитрий Викторович |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2002 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 1. – С. 26-30. |
| Аннотация: | The approach to calculation of the polar optical phonon scattering rate in quantum well of GaAIAs-GaAs-GaAlAs double-barrier resonant tunneling structure when the resonant electron transport takes place was developed. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208822 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.