Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208822
Title: Интенсивность рассеяния электронов на полярных оптических фононах в квантовой яме двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе арсенида галлия
Authors: Борздов, Владимир Михайлович
Поздняков, Дмитрий Викторович
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2002
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 1. – С. 26-30.
Abstract: The approach to calculation of the polar optical phonon scattering rate in quantum well of GaAIAs-GaAs-GaAlAs double-barrier resonant tunneling structure when the resonant electron transport takes place was developed.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208822
ISSN: 0321-0367
Appears in Collections:2002, №1 (январь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
26-30.pdf2,78 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.