Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208394
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКупчишин, А. И.-
dc.contributor.authorПоздеева, Т. В.-
dc.contributor.authorГречный, С. С.-
dc.date.accessioned2018-11-09T08:21:57Z-
dc.date.available2018-11-09T08:21:57Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 368-369.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/208394-
dc.description.abstractПроведены испытания на временную стабильность резистивных слоев TaAI и РС-3710, которые после нанесения без развакуумирования камеры отжигались при T = 450°С, t = 30 мин, (ps = 880 ом/п, TKC = -140-10-6 град-1 и затем имплантировались ионами N+2 , O+2 или Ne+ с E = 60 кэВ в диапазоне доз 1-106 + 4-1017 ион/см2. Вторая группа образцов - без отжига (ps = 1 кОм/п, TKC = 20-10-6 град-1) проходила через те же режимы ионного облучения. Испытания показали, что коэффициент стабильности резисторов РС-3710 может быть значительно улучшен последующей ионной бомбардировкой. В случае системы TaAI эффективность ионной имплантации оказалась намного ниже.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВременная стабильность резистивных слоев TaAl и РС-3710, сформированных высокодозной ионной имплантациейru
dc.title.alternativeTime stability of the TaAl and RS-3710 resistive layers formed by high dose ion implantation / A.I. Kupchishin, T.V. Pozdeeva, S.S. Hrechnyru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe time stability testings for TaAI and RS-3710 resistive layers have been performed. Two sets of specimens had been prepared for such studies. Layers of the first set were deposited and annealed in the deposition chamber and then were implanted with N+2, O+2 or Ne+ ions. In the second case the deposited layers were irradiated by the above mentioned ions without a previous annealing procedure. The testing results illustrated the favourable changes of ion implanted RS-3710 resistors, and very modest efficiency of high dose ion implantation on the resistivity time stability for TaAI layers.-
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
368-369.pdf1,91 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.