Формирование электропроводящих и светопоглощающих слоев в алмазе имплантацией ионов бора

Abstract

В работе рассматривается влияние имплантации ионов бора и постимплантационного отжига на оптические и электрические свойства кристаллов природного алмаза. Установлено, что имплантация ионов бора в алмаз позволяет формировать полупроводниковый слой p-типа с энергией активации 0,37 эВ при малых дозах имплантации. Увеличение дозы приводит к снижению энергии активации до нуля, что позволяет изготавливать спои с заданной энергией активации. Наряду с этим при высоких дозах имплантации наблюдается значительное увеличение коэффициента поглощения в спектральном диапазоне 2,5 - 20 мкм. Спектры отражения имплантированного алмаза трансформируются с ростом дозы, приобретая черты, характерные для спектров отражения графита. Проведенные исследования показали, что с помощью имплантации ионов бора в алмазе могут быть созданы как полупроводниковые слои, так и слои с высокой оптической плотностью.