Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208381
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКазючиц, Н. М.-
dc.contributor.authorМельников, А. А.-
dc.contributor.authorРусецкий, М. С.-
dc.contributor.authorШашков, С. Н.-
dc.contributor.authorБыковский, В. А.-
dc.contributor.authorШуленков, А. С.-
dc.date.accessioned2018-11-09T07:40:46Z-
dc.date.available2018-11-09T07:40:46Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 352-354.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/208381-
dc.description.abstractВ работе рассматривается влияние имплантации ионов бора и постимплантационного отжига на оптические и электрические свойства кристаллов природного алмаза. Установлено, что имплантация ионов бора в алмаз позволяет формировать полупроводниковый слой p-типа с энергией активации 0,37 эВ при малых дозах имплантации. Увеличение дозы приводит к снижению энергии активации до нуля, что позволяет изготавливать спои с заданной энергией активации. Наряду с этим при высоких дозах имплантации наблюдается значительное увеличение коэффициента поглощения в спектральном диапазоне 2,5 - 20 мкм. Спектры отражения имплантированного алмаза трансформируются с ростом дозы, приобретая черты, характерные для спектров отражения графита. Проведенные исследования показали, что с помощью имплантации ионов бора в алмазе могут быть созданы как полупроводниковые слои, так и слои с высокой оптической плотностью.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФормирование электропроводящих и светопоглощающих слоев в алмазе имплантацией ионов бораru
dc.title.alternativeFormation of conductiv and light absorbation layers in diamond by boron implantation / N. Kazuchits, A. Melnikov, M. Rusetsky, S. Shashkov, V. Bykovskii, A. Shulenkovru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe influence of boron implantation and postimplantation annealing on the some optical and electrical properties of natural diamond have been presented. It was found that low dose boron implantation forms p-type semiconducting layers with activation energy of 0,37 eV. An increase of implantation dose leads to reduction of activation energy up to zero This dependence allows fabricate structures with defined activation energy. The effect of high dose irradiation reveals in the sufficient growth of optical absorption in the spectral range of 2,5 - 20 mkm. The reflection spectra of irradiated surface transforms with implantation dose to the spectra of graphite. Obtained results shows that boron implantation can be used for fabrication of both semiconducting layers and layers with high optical density.ru
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
352-354.pdf2,75 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.